三星據報與臺積電合作 爲英偉達生產下一代HBM邏輯芯片

韓國媒體報道，三星電子決定接受英偉達的要求，與臺積電合作，爲這家美國芯片巨頭生產下一代定製高帶寬內存（HBM）的底層邏輯芯片。這也意味着三星在相關產品上將首次與臺積電展開合作。

據路透社引述《首爾經濟日報》報道，英偉達已要求三星電子、SK海力士及美光三家HBM供應商，統一採用臺積電的3納米制程製造底層邏輯芯片，而核心存儲芯片則使用第六代DRAM工藝，以確保產品一致性並簡化驗證流程。

報道指出，三星經過內部評估後決定接受相關要求。不過，對於標準版HBM及供應其他客戶的產品，三星仍將保留從設計到製造的一體化生產策略。

業界人士透露，三星也正評估使用自家晶圓代工製程生產英偉達HBM底層邏輯芯片的可行性，以應對未來臺積電產能可能不足的情況。

HBM是人工智能加速器的重要組成部分，底層邏輯芯片負責管理內存運作。隨着AI算力需求持續增長，相關芯片的製造工藝及供應能力已成爲半導體產業競爭的重要環節。