三星据报与台积电合作 为英伟达生产下一代HBM逻辑芯片

韩国媒体报道，三星电子决定接受英伟达的要求，与台积电合作，为这家美国芯片巨头生产下一代定制高带宽内存（HBM）的底层逻辑芯片。这也意味着三星在相关产品上将首次与台积电展开合作。

据路透社引述《首尔经济日报》报道，英伟达已要求三星电子、SK海力士及美光三家HBM供应商，统一采用台积电的3纳米制程制造底层逻辑芯片，而核心存储芯片则使用第六代DRAM工艺，以确保产品一致性并简化验证流程。

报道指出，三星经过内部评估后决定接受相关要求。不过，对于标准版HBM及供应其他客户的产品，三星仍将保留从设计到制造的一体化生产策略。

业界人士透露，三星也正评估使用自家晶圆代工制程生产英伟达HBM底层逻辑芯片的可行性，以应对未来台积电产能可能不足的情况。

HBM是人工智能加速器的重要组成部分，底层逻辑芯片负责管理内存运作。随着AI算力需求持续增长，相关芯片的制造工艺及供应能力已成为半导体产业竞争的重要环节。